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Un grupo de investigadores ha demostrado que una fina capa de un compuesto metálico llamado manganeso de paladio tres, tiene las propiedades necesarias para fabricar un tipo de memoria que almacena datos en las direcciones del espín de los electrones. Este método de almacenamiento, conocido como memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva de par orbital de espín o SOT-MRAM, tiene el potencial de almacenar datos con mayor rapidez y eficacia que los métodos actuales, que almacenan los datos mediante carga eléctrica y requieren un aporte continuo de energía.

10 de Mayo de 2023

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