Con respecto a DDR4, la nueva memoria RAM tendrá una frecuencia de funcionamiento casi 3 veces mayor, cuatro veces más capacidad, permitirá montar hasta 32 módulos, la tensión de operación se reducirá a 1.1V (desde los 1.2 actuales) y vendrá con otras características que mejorarán las velocidad independientemente de la frecuencia y las latencias.